PD20010-E
|
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
|
Версия для печати
Технические характеристики PD20010-E
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | LDMOS |
| Частота | 2GHz |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 11dB |
| Voltage - Test | 13.6V |
| Current Rating | 5A |
| Current - Test | 150mA |
| Power - Output | 10W |
| Номинальное напряжение | 40V |
| Корпус (размер) | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Корпус | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
