Версия для печати
Технические характеристики TLP504A

Тип входа	DC
Количество каналов	2
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vce Saturation (Max)	400mV
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Тип выхода	Transistor
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Напряжение выходное	55V
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA
Voltage - Isolation	2500Vrms
Output Type	Transistor

TLP504A (Оптроны транзисторные (с транзисторным выходом)) programmable controllers ac / dc-input module solid state relay Также в этом файле: TLP504A-2 Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp TLP504A datasheet 305.83Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	6 928	77.25
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус			128.56
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTRONICS
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	КИТАЙ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	YOUTAI	15 508	26.33
		KBPC3506		Диодный мост 35А,600В	DC COMPONENTS	276	99.39
		KBPC3506		Диодный мост 35А,600В			228.00
		KBPC3506		Диодный мост 35А,600В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3506		Диодный мост 35А,600В	YJ	191	129.23
		KBPC3506		Диодный мост 35А,600В	MULTICOMP
		KBPC3506		Диодный мост 35А,600В	YANGJIE
		KBPC3506		Диодный мост 35А,600В	YANGJIE (YJ)
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 370	11.99
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	612
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...		2 095	29.44
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	15 279	33.60
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ЗПП МИНСК
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	RUS
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ	720	56.85
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ-С
		Т106-10-2					110.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"