2SC2240GR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SC2240GR		33.40
2SC2240GR		33.40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		6 676	18.90
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	4 169	16.34
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	7 978	16.80
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	797	16.80
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	91	14.50

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт		1 320	24.24
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOS
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	ФИЛИППИНЫ
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...		1 121	21.23
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOS
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	СИНГАПУР
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	ISC	803	130.17
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	JSMICRO	1 474	24.21
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SANYO
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93			144.00
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SAN
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ST MICROELECTRONICS
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	NO TRADEMARK
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	STMICROELECTR
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ISCSEMI
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		21 982	1.20
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	50 385	2.00
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	4 044	2.62
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	24	3.10
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK	295	4.69
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING	8 000	1.61
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KOME	9 089	2.48
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	NEC
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц			44.88
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS	367	58.44
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMEN
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	1

3296W-4.7Р С™
Р В Р ВµР В·Р С‘РЎРѓРЎвЂљР С•РЎР‚ Р С—Р ВµРЎР‚Р ВµР СР ВµР Р…Р Р…РЎвЂ№Р в„– Р С—Р С•Р Т‘РЎРѓРЎвЂљРЎР‚Р С•Р ВµРЎвЂЎР Р…РЎвЂ№Р в„– Р Р…Р ВµР С—РЎР‚Р С•Р Р†Р С•Р В»Р С•РЎвЂЎР Р…РЎвЂ№Р в„– Р СР Р…Р С•Р С–Р С•Р С•Р В±Р С•РЎР‚Р С•РЎвЂљР Р…РЎвЂ№Р в„– Р РЋР С•Р С—РЎР‚Р С•РЎвЂљР С‘Р Р†Р В»Р ВµР Р…Р С‘Р Вµ 47Р С”Р С›Р С&nbsp;Р СћР С•РЎвЂЎР Р…Р С•РЎРѓРЎвЂљРЎРЉ 20%&nbsp;Р СљР С•РЎвЂ°Р Р…Р С•РЎРѓРЎвЂљРЎРЉ 0.5Р вЂ™РЎвЂљ
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

MAX135CPI+
Р СљР С‘Р С”РЎР‚Р С•Р СР С•РЎвЂ°Р Р…РЎвЂ№Р в„– Р С’Р В¦Р Сџ, +15- Р В±Р С‘РЎвЂљ, РЎРѓ Р С—Р В°РЎР‚Р В°Р В»Р В»Р ВµР В»РЎРЉР Р…РЎвЂ№Р С Р С‘Р Р…РЎвЂљР ВµРЎР‚РЎвЂћР ВµР в„–РЎРѓР С•Р С Р Т‘Р В»РЎРЏ Р Т‘Р С‘РЎРѓР С—Р В»Р ВµР ВµР Р†
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

ASMT-LG50-xxxAB
Р СљР С•Р Т‘РЎС“Р В»РЎРЉ РЎРѓ Р С–Р С‘Р В±Р С”Р С•Р в„– РЎРѓР Р†Р ВµРЎвЂљР С•Р Т‘Р С‘Р С•Р Т‘Р Р…Р С•Р в„– РЎвЂљРЎР‚РЎС“Р В±Р С”Р С•Р в„– Р Т‘Р В»Р С‘Р Р…Р С•Р в„– 100-500 Р СР С Р В·Р В°Р СР С”Р Р…РЎС“РЎвЂљР С•Р в„– Р С”Р С•Р Р…РЎвЂћР С‘Р С–РЎС“РЎР‚Р В°РЎвЂ Р С‘Р ВµР в„–
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ