|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2A1813 (КИТАЙ) |
|
|
|
36 856
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
L6385 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L6385 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
9
|
|
|
|
|
L6385 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6385 |
|
|
|
|
|
|
|
|
L6385 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
585
|
|
|
|
|
MPS4250 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPS4250 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPS4250 |
|
|
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
18
|
18.15
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
|
|
39.52
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
156
|
|
|