![]() |
Оригинальность заключается в способе управления триггером, а именно формировании управляющих сигналов. Управляющие сигналы формируются на компараторах DA1 и DA2, на один из входов которых подана опорное напряжение. Чтобы сформировать управляющие сигналы необходимо получить на входах триггера (выходах компараторов) сигналы высокого уровня. Аналоги: LM555, КР1006ВИ1. |
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; Icc: 6 мА; NMOS
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1006ВИ1 |
![]() |
![]() |
||||||
AN1555N | MATSUSHITA |
![]() |
![]() |
|||||
LM555 |
![]() |
![]() |
||||||
LM555 | МИКРОН |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
NJM555D |
![]() |
NJR |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | 8 | 26.40 | ||
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | РИГА |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | МСХ1 |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | ЛАТВИЯ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | RUS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | АЛЬФА РИГА | 712 | 90.53 | |
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | АЛЬФА |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КР1006ВИ1 |
![]() |
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
КР1006ВИ1А |
![]() |
![]() |
||||||
КР1006ВИ1А | МИКРОН |
![]() |
![]() |
|||||
КР1006ВИ1А |
![]() |
![]() |
||||||
КФ1006ВИ1 | RUS |
![]() |
![]() |
|||||
КФ1006ВИ1 |
![]() |
![]() |
||||||
КФ1006ВИ1 | ИНТЕГРАЛ | 376 | 94.46 |
![]() | AM1DR-0512S-N DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.75:5.25В, стабилизированный выход 12В/84мА, изоляция 1000В DC, SIP7(19.5x7.2x9.5мм), -40:+85°С Купить |
![]() | MJD44H11G Транзистор биполярный NPNНапряжение сток-исток  / исток - затвор    80Р’РўРѕРє стока  8Аграничная частота передачи ток... Купить |
![]() | STGW30N120KD Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания Купить |
|
Корзина
|