КР159НТ1А
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции. |
|
51.84 | ||
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции. | ДИСК |
|
|
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции. | ГРАВИТОН | 62 | 40.00 | |
 |
|
К 553 УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА | RUS |
|
|
|
| КА528БР2 |
|
190.08 | ||||||
| КА528БР2 | КВАДР |
|
|
|||||
| КР 574 УД1А | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 825 | 45.90 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
