![]() |
Наиболее важными характеристиками диодов Шоттки, определяющими их использование, являются низкое прямое падение напряжения, высокое быстродействие, фактическое отсутствие заряда обратного восстановления. Чаще всего они применяются в мощных выпрямителях на высоких скоростях переключения, могут быть также использованы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей. Температурный диапазон зависит от корпуса и составляет обычно ±55 ÷ 150 °С для пластмассовых и 65 ÷150 °С для металлических корпусов Подробные параметры 10BQ040 см. даташит в .pdf файле |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 40V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Корпус | DO-214AA (SMB) |
Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
Тип монтажа | Поверхностный |
10BQ040 SCHOTTKY RECTIFIER 1 Amp
Производитель:
|
Синонимы от поставщиков: 10BQ040 ; 10-BQ ; 10 BQ ; 10 — BQ ; 10BQ ; диод 10BQ ;
![]() | AT45DB161B-TU РџР°РСВять DataFlash (16 MBit, SPI-compatible interface, 20 MHz max clock, 528 bytes/page, 2x528-byte SRAM data buffers, Vcc=2.7-3.6V, -40 to +85C) РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | STP14NK60ZFP N-channel 600v - 0.45? - 13.5a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | HLMP-ED18-TW000 5 Р В РЎВР В РЎВ alingap ii светоРТвЂР В РЎвЂР  С•Р Т†Р С™РЎС“Р С—Р СвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|
Корзина
|