|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
108 832
|
2.32
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
|
140
|
4.68
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MUR
|
592 752
|
1.13
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
CDRH64BNP-331MC |
|
SMD индуктивность экранированнная 330мкГн, +/-20%, 230мА
|
SUMIDA
|
235
|
56.92
|
|
|
|
CDRH64BNP-331MC |
|
SMD индуктивность экранированнная 330мкГн, +/-20%, 230мА
|
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0712K1L |
|
|
YAGEO
|
498 513
|
0.50
>1000 шт. 0.10
|
|
|
|
RC0402FR-0712K1L |
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0712K1L |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0749R9L |
|
ЧИП — резистор 49.9Ом, 1%, 0.062
|
YAGEO
|
1 856 708
|
0.50
>1000 шт. 0.10
|
|
|
|
RC0402FR-0749R9L |
|
ЧИП — резистор 49.9Ом, 1%, 0.062
|
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0749R9L |
|
ЧИП — резистор 49.9Ом, 1%, 0.062
|
YAGEO
|
65 000
|
|
|
|
|
RC0603FR-072K21L |
|
|
YAGEO
|
282 541
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
RC0603FR-072K21L |
|
|
YAGEO
|
11 851
|
|
|
|
|
RC0603FR-072K21L |
|
|
|
|
|
|