| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 2 |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.7 V/µs |
| Полоса пропускания | 1.3MHz |
| Ток - входного смещения | 500pA |
| Напряжение входного смещения | 15µV |
| Ток выходной | 400µA |
| Ток выходной / канал | 10mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | 8-MSOP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ADM2483BRWZ-REEL |
|
Приемопередатчик полудуплексный , RS- 485, 600нс, 400нс,5В, 0.5Мбит/с
|
ANALOG DEVICES
|
4 550
|
275.52
|
|
|
|
|
ADM2483BRWZ-REEL |
|
Приемопередатчик полудуплексный , RS- 485, 600нс, 400нс,5В, 0.5Мбит/с
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADM2483BRWZ-REEL |
|
Приемопередатчик полудуплексный , RS- 485, 600нс, 400нс,5В, 0.5Мбит/с
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADM2483BRWZ-REEL |
|
Приемопередатчик полудуплексный , RS- 485, 600нс, 400нс,5В, 0.5Мбит/с
|
|
5 414
|
206.56
|
|
|
|
|
ADM660AR |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
ANALOG DEVICES
|
8
|
331.50
|
|
|
|
|
ADM660AR |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
|
|
136.80
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
40 149
|
2.56
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
3
|
6.22
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
|
6 400
|
1.85
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
52
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
YJ
|
13 152
|
2.95
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
MB2S |
|
Диодный мост SMD 0,5A 140V(RMS)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
SN035M4R70B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 35 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SN035M4R70B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 35 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SN035M4R70B2F-0511 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 35 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
Версия для печати
