КТ502Г

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный, для усилителей низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Граничное напряжение при /э = 10 мЛ, < 40 мкс. Q Э= 100 не менее
КТ502\, КТ502Б...............25 В
КТ502В, КТ502Г...............40 В
КТ502Д..................60 В
КТ502Е..................80 В
Напряжение насыщения коттектор-эмиттер при /к = 10 мА,/g = 1 мА не более...............0,6 В
типовое значение................0,15* В
Напряжение насыщения база-эмиттер при 4 = 10 мА,/g = 1 мА не ботее..............1,2 В
типовое значение................0,8* В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при [/э = 5 В, /э = 10 мАKTS02A, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е........40-120
КТ502Б, КТ502Г............... 80 - 240
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при d/3 = 5 В, /э = 3 мА, /= 1 МГц
не менее...................5 МГц
Емкость котекторного перехода при [/«в = 5 В / = 465 кГц
не более...................20 пФ
Обратный ток коттектора при = t/g не более .....................1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение колтектор-база при Г = = 233 - 358 К
КТ502А, KTS02B............ 40 В
КТ502В, КТ502Г............ 60 В
КТ502Д............... 80 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Г == 233 - 358 К............. 5 В
Постоянный ток коллектора при Г = 233 - 358 В 0,15 А
Импульсный ток коллектора при т' < 10 мс,Q > 100, Г = 233 - 358 К.......... 0,35 А
Постоянный ток базы при Г= 233 - 358 В . . . 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при= 233 - 298 К............. 0,35 Вт