FQP11P06

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQP11P06	1	378.00

Версия для печати

Технические характеристики FQP11P06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 5.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 25V
Power - Max	53W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	193.80
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	121.20
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	604.80
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	2 400	14.16
SN74LVC04AD		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC04AD			40	13.60
SN74LVC04AD		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC04AD		TEXAS
STRA6259H		SANKEN
STRA6259H		SK
STRA6259H			2	208.80
СВЧ: ДИОД HVR-1X3
СВЧ: ДИОД HVR-1X3		SANKEN