LM158DT

Версия для печати

Технические характеристики LM158DT

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 30 V, ±1.5 V ~ 15 V
Ток выходной / канал	60mA
Ток выходной	700µA
Напряжение входного смещения	2000µV
Ток - входного смещения	20nA
Полоса пропускания	1.1MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	0.6 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2Д707АС9	Два последовательно соединенных импульсный диода			172.80
2Д707АС9	Два последовательно соединенных импульсный диода	АЛЕКСАНДРОВ
2Д707АС9	Два последовательно соединенных импульсный диода	ДАЛЕКС
2Д707АС9	Два последовательно соединенных импульсный диода	АЛКСАНДРОВ
2Д803АС9			1	21.00
2Д803АС9		АЛЕКСАНДРОВ	10 766	30.00
2Д803АС9		ДАЛЕКС
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS	23
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor	NXP
BSH108	N-channel enhancement mode field-effect transistor
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	FAIR
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	FAIRCHILD
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	FAIRCHILD	930
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	Fairchild Semiconductor
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor		7 200	9.31
FDN357N	N-channel logic level enhancement mode field effect transistor	ONS
IN74ACT14D		ИНТЕГРАЛ
IN74ACT14D
IN74ACT14D		????????
IN74ACT14D