Версия для печати
Технические характеристики IRFBE30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBE30 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =3.0ohm, Id=4.1a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFBE30 datasheet 170.72Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	11 036	2.38
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		88	10.80
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	9.69
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	11.73
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		VS-8TQ100		Диод Шоттки (U=100V, I=8A, Vf=0.72V@I=8A&T=25C, Vf=0.58V@I=8A&T=125C, -55 to +175C)	VISHAY
		VS-8TQ100		Диод Шоттки (U=100V, I=8A, Vf=0.72V@I=8A&T=25C, Vf=0.58V@I=8A&T=125C, -55 to +175C)
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS	26	96.90
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		1 848	26.59
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	RUS
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	НТЦ СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	КРЕМНИЙ	80	198.90
		К1156ЕУ2Р					158.40
		К1156ЕУ2Р			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2Р			НТЦ
		К1156ЕУ2Р			РОССИЯ
		К1156ЕУ2Р			СИТ
		К1156ЕУ2Р			КРЕМНИЙ	152	279.73

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"