![]() |
|
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Серия | SWITCHMODE™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 3A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | DPAK-3 |
![]() | DEM120064A ГрафРСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”Р СвЂР  в„– Р В¶Р С” Р В РЎВРѕРТвЂР ЎС“ль 120С…64 точкРцРљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | DMN3112S N-channel enhancement mode field effect transistor РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | MBRF1545CT Р РЋР ТвЂР  Р†Р С•енный, Р РЋР С“ РѕР±С‰РСвЂР  С Р С”атоРТвЂР  С•Р СВ, Р В РўвЂР В РЎвЂР  С•Р҆шоткРцЗащРСвЂР ЎвЂљР В° РѕС‚ перенапряженРСвЂР РЋР РЏ Малая потеря Р В РЎВощностРСвЂ, высокая эффектРСвЂР  Р†Р Р…ость Р В РЎСљР В РЎвЂР  В·Р С”РѕРµ РїР°РТвЂР  ВµР Р…Р СвЂР В Р’Вµ РїСЂСЏРСВРѕРіРѕ напряженРСвЂР РЋР РЏ Раб... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|
Корзина
|