Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 873	2.00
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	616	1.81
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.49
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	24	10.82
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		35 808	1.46  >100 шт.   0.73
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	6 421	1.98  >100 шт.   0.99
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1.38
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	308 046	1.44
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	147 047	1.55
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	62 048	1.50
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	800	10.20
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	2 459
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	3 165	1.16
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	1 042 209	1.27
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	10 484
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		339	5.25
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
		BC857		маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	JSCJ	713 884	1.72  >100 шт.   0.86
		CDRH104RNP-151NC			SUMIDA	59	48.47
		CDRH104RNP-151NC					124.08
		L7805CDT-TR			ST MICROELECTRONICS	2 401	29.71
		L7805CDT-TR				1 960	24.82
		L7805CDT-TR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		L7805CDT-TR			STMicroelectronics
		L7805CDT-TR			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"