| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
YAGEO
|
469 201
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
56
|
44.75
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
2 512
|
24.52
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
КД 212 А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД 212 А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ 3107 Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
