TLE5216G

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO	484 704	1.66 >100 шт. 0.83
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
TLE4267G		INFINEON
TLE4267G			1	259.00
TLE4267G		INFINEON TECH
TLE4267G		INFINEON
КД 212 А		RUS
КД 212 А
КТ 3107 Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS