РП10-11 ПО ВИЛ.

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DS18B20 DIGITAL TEMPERATURE SENSOR MODULE		HKSHAN
DS18B20 DIGITAL TEMPERATURE SENSOR MODULE
ДМ-0,1-80 МКГН-5%	Дроссель модернизированный постоянной индуктивности , 0.1А, 80мкГн		5 512	7.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	48.45
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		518	31.50
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧГ			11 600	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200	5.10