0.22UFX16VY5V,+80-20%(Z)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT152-600R	Тиристор 20A 600В	NXP
BT152-600R	Тиристор 20A 600В		1 133	26.90
BT152-600R	Тиристор 20A 600В	КИТАЙ
BT152-600R	Тиристор 20A 600В	NXP
BT152-600R	Тиристор 20A 600В	1
BU941		ST MICROELECTRONICS
BU941		ST MICROELECTRONICS SEMI
BU941
BU941		STMicroelectronics
ECAP 100/100V 1019 SK	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 100 В	YAGEO
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ONS	363	58.59
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)			26.12
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTO
MC7809CTG	Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	388
КТ898А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	84	192.78
КТ898А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		1	340.20
КТ898А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	184	273.00
КТ898А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЬТАВ
КТ898А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ФРЯЗИНО
КТ898А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭПЛ