10.0000 MHZ HC-49S

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-X7R-0.1UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 10%	KOME
1206-X7R-0.1UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 10%			2.40
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	MICRO CHIP	360	108.24
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8			220.00
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	MICRO CHIP	25
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	Microchip Technology
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
24LC512-I/P	Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BH10-G(ШАГ2,00ММ)		NELTRON
BH10-G(ШАГ2,00ММ)		HSUAN MAO
ISO7221ADR		TEXAS INSTRUMENTS
ISO7221ADR		TEXAS
ISO7221ADR		TEXAS INSTRUMEN
ISO7221ADR			2 180	68.21
ISO7221ADR		TEXAS INSTRUMENTS
PIC16F887-I/P	8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40	MICRO CHIP
PIC16F887-I/P	8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40			592.80
PIC16F887-I/P	8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40	Microchip Technology
PIC16F887-I/P	8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40	MICRO CHIP	4