|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-X7R-0.1UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 10%
|
KOME
|
|
|
|
|
|
1206-X7R-0.1UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 10%
|
|
|
2.40
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
360
|
108.24
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
|
|
220.00
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
25
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BH10-G(ШАГ2,00ММ) |
|
|
NELTRON
|
|
|
|
|
|
BH10-G(ШАГ2,00ММ) |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
ISO7221ADR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ISO7221ADR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ISO7221ADR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ISO7221ADR |
|
|
|
2 180
|
68.21
|
|
|
|
ISO7221ADR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
|
|
592.80
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40
|
MICRO CHIP
|
4
|
|
|