![]() |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
24LC512-I/P |
![]() |
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | MICRO CHIP | 360 | 108.24 | |
![]() |
![]() |
24LC512-I/P |
![]() |
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 |
![]() |
220.00 | ||
![]() |
![]() |
24LC512-I/P |
![]() |
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | MICRO CHIP | 25 |
![]() |
|
![]() |
![]() |
24LC512-I/P |
![]() |
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | Microchip Technology |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
24LC512-I/P |
![]() |
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
24LC512-I/P |
![]() |
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|
BH10-G(ШАГ2,00ММ) | NELTRON |
![]() |
![]() |
|||||
BH10-G(ШАГ2,00ММ) | HSUAN MAO |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
CC0805JRNPO9BN220 |
![]() |
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805 |
![]() |
4.48 | ||
![]() |
![]() |
CC0805JRNPO9BN220 |
![]() |
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805 | YAGEO | 414 639 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
|
![]() |
![]() |
CC0805JRNPO9BN220 |
![]() |
Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805 | YAGEO |
![]() |
![]() |
|
HC-49S-16000 КГЦ |
![]() |
![]() |
||||||
ISO7221ADR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
ISO7221ADR | TEXAS |
![]() |
![]() |
|||||
ISO7221ADR | TEXAS INSTRUMEN |
![]() |
![]() |
|||||
ISO7221ADR | 2 180 | 68.21 | ||||||
ISO7221ADR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|