2С 156 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
142ЕН5А		КРЕМНИЙ	49	1 274.00
142ЕН5А			24	840.00
142ЕН5А		БРЯНСК
142ЕН5А		ПРОХЛ.,КРЕМНИЙ
142ЕН5А		ТОМИЛИНО
142ЕН5А		1
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		15 989	33.25
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	162	91.00
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
2С 147 А		RUS
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		26	1 190.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	472
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
С2-33Н-0,25-20 КОМ-5%			38	8.80