2С 156 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
142ЕН5А		КРЕМНИЙ	36	1 344.00
142ЕН5А			97	1 582.40
142ЕН5А		БРЯНСК
142ЕН5А		ПРОХЛ.,КРЕМНИЙ
142ЕН5А		ТОМИЛИНО
142ЕН5А		1
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		12 060	34.96
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ	1 600	63.00
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	162	96.00
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК	3 520	63.00
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
2Д522Б	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
2С 147 А		RUS
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		91	1 288.80
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	9	1 008.00
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 402
2Т3117А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
С2-33Н-0,25-20 КОМ-5%			38	9.25