Версия для печати
Технические характеристики DEBF33A472ZA2B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	DEB
Емкость	4700pF
Номинальное напряжение	1000V (1kV)
Допустимые отклонения емкости	-20%, +80%
Tolerance	-20%, +80%
Температурный коэфициент	F
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Корпус (размер)	Radial - Disc
Size / Dimension	0.276" Dia (7.00mm)
Высота	0.394" (10.00mm)
Lead Spacing	0.197" (5.00mm)
Возможности	High Voltage
Lead Style	Flat Bent

DEBF33A472ZA2B datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N2222A (PN2222A)		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)	МИНСК
		2N2222A (PN2222A)		Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	VISHAY
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	Vishay/Siliconix
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)	VISHAY/IR
		IRF9520S		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А)
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	VISHAY
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт			61.44
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	КИТАЙ
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	29
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	38.25
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	936	33.15
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	10 742	3.94
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet			557.60
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"