|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
48.45
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
|
32
|
21.12
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
HOTTECH
|
1 749
|
10.98
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
1
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SMCMICRO
|
340
|
27.23
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
LGE
|
3 072
|
14.50
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
KEENSIDE
|
3 189
|
5.36
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
800
|
9.18
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
18 472
|
2.23
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
1 511
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 245
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
9 632
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
3 040
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
1 532
|
2.16
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
|
874
|
3.52
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MICRO COMMERCIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
13 896
|
1.06
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
40
|
1.61
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YOUTAI
|
9 172
|
1.45
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
69 568
|
1.12
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
410 923
|
1.39
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YANGJIE
|
24 000
|
1.42
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MIC
|
48 000
|
1.09
|
|
|
|
MB154 |
|
Мост 15А, 400В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MB154 |
|
Мост 15А, 400В
|
|
|
251.00
|
|
|
|
MB154 |
|
Мост 15А, 400В
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
|
8
|
56.32
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
RUME
|
7 720
|
12.38
|
|
|
|
SR860 |
|
Диод Шоттки 60В, 8А/150А
|
DC COMPONENTS
|
800
|
53.55
|
|
|
|
SR860 |
|
Диод Шоттки 60В, 8А/150А
|
|
|
44.00
|
|
|
|
SR860 |
|
Диод Шоттки 60В, 8А/150А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SR860 |
|
Диод Шоттки 60В, 8А/150А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SR860 |
|
Диод Шоттки 60В, 8А/150А
|
MIC
|
|
|
|
|
|
SR860 |
|
Диод Шоттки 60В, 8А/150А
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SR860 |
|
Диод Шоттки 60В, 8А/150А
|
GALAXY ME
|
|
|
|