LQH32MN6R8K23L
Индуктивность чип на феррите 6.8мкГн, 10%, 240мА (1210)
|
Индуктивность чип на феррите |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | LQH32M |
| Inductance | 6.8µH |
| Current | 240mA |
| Тип | Ferrite Core |
| Допустимые отклонения емкости | ±10% |
| Tolerance | ±10% |
| Shielding | Unshielded |
| DC Resistance (DCR) | 1.5 Ohm Max |
| Q @ Freq | 20 @ 1MHz |
| Self Resonant Freq | 25MHz |
| Корпус (размер) | 1210 (3225 Metric) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Frequency - Test | 1MHz |
| Material - Core | Ferrite |
| Сфера применения | General Purpose |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Индуктивность чип на феррите 6.8мкГн, 10%, 240мА (1210)
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-150K 1% |
|
ЧИП — резистор 150кОм, 1%, 0805 | 1 213 | 1.24 | |||
| 0805-49.9К 1% | 22 | 1.24 | ||||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 132 |
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G |
|
|
|||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| BZX84C5V1LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C5V1LT1G | ONS |
|
|
|||||
| BZX84C5V1LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 260 |
|
|||||
| BZX84C5V1LT1G |
|
|
||||||
| BZX84C5V1LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BZX84C5V1LT1G | NXP |
|
|
|||||
| DG126-5.0-02P-14-00A[H] | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| DG126-5.0-02P-14-00A[H] |
|
|
