MB1510
Мост 15А, 1000В
|
Версия для печати
| Тип монтажа | Выводной |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Type | Single Phase |
| Current - DC Forward (If) | 15A |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1000V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус (размер) | MB-35W |
| Корпус | MB-35W |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 520 | 12.25 | ||
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ | 532 | 16.83 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 2 844 | 16.00 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
 |
КТ361Д1 | 11 976 | 1.76 | |||||
|
|
КТ361Д1 | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ361Д1 | ТОМСК |
|
|
||||
| МЛТ - 0.25 ВТ 1.2 КОМ 5% |
|
|
||||||
| МЛТ - 2 ВТ 13 КОМ 5% | 432 | 4.80 | ||||||
| МЛТ - 2 ВТ 6.2 КОМ 10% | 1 708 | 4.48 |
