|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
5 068
|
3.05
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
11.73
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
3 000
|
3.20
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
28 067
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
9.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.18
|
|
|
|
2N5060G |
|
Тиристор 0,8A 30V 3pin
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5060G |
|
Тиристор 0,8A 30V 3pin
|
|
|
14.80
|
|
|
|
2N5060G |
|
Тиристор 0,8A 30V 3pin
|
ONS
|
|
|
|
|
|
R1212N-A100K,L-20KC |
|
|
SONG HUEI ELEC
|
|
|
|
|
|
КС147А |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
|
1 500
|
10.50
|
|
|
|
КС147А |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НЗПП
|
1 280
|
43.30
|
|
|
|
КС147А |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС147А |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС147А |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС147А |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
|
|
20.72
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
96.90
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
БРЯНСК
|
7 729
|
96.00
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ805БМ |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
|
|
|
|