|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
159
|
206.17
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
R-0901N-A10K,H-6.5,L-25KQ |
|
|
SONG HUEI ELEC
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
30
|
270.00
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
|
2 435
|
329.12
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
1
|
|
|
|
|
|
WSL2512R1000FEA |
|
|
|
|
225.40
|
|
|
|
WSL2512R1000FEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
WSL2512R1000FEA |
|
|
VISHAY
|
7
|
37.79
|
|
|
|
WSL2512R1000FEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
WSL2512R1000FEA |
|
|
DALE
|
|
|
|