|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
2 113
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
2 230
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
1 040
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIODES INC.
|
2 063
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
|
268
|
4.80
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
50 107
|
1.62
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MASTER INSTRUMENT
|
532
|
6.12
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N3773G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
207
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
288 960
|
2.20
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
138 469
|
2.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
610 197
|
1.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
560
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
394 852
|
1.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
1.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 075 804
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
409 427
|
1.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 014 992
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
31 904
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
|
|
320.00
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
Power Integrations
|
69
|
240.00
|
|