Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		SN74LS145N		BCD to Dec Dec драйвер	TEXAS INSTRUMENTS	2 080	216.48
		SN74LS145N		BCD to Dec Dec драйвер			36.84
		SN74LS145N		BCD to Dec Dec драйвер	TEXAS INSTR
		SN74LS145N		BCD to Dec Dec драйвер	TEXAS INSTRUMEN
		SN74LS145N		BCD to Dec Dec драйвер	TEXAS
		SN74LS145N		BCD to Dec Dec драйвер	FULIHAO TECH	440	39.36

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		97 104	1.06
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	5 333	2.39
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	23 808	2.85
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	12 000	1.28
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	76	3.29
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	2.90
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	76 994	1.83
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	84 430	1.97
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	428 919	1.53
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
		К555ИР22		Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...		60	112.32
		К555ИР22		Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...	МЕЗОН	346	56.10
		К555ИР22		Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...	МИКРОН
		К555ИР22		Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...	RUS
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА		1 211	45.90
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МЕЗОН	568	82.66
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИКРОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИОН
		К555ЛА3		4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"