Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DC COMPONENTS	39 829	1.27
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	DIOTEC	9 061	1.37
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	FAIRCHILD
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PHILIPS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	Fairchild Semiconductor
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	КИТАЙ
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIC	4	1.03
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MCC
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	NXP	5 698
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	VISHAY
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)		70 902	1.34  >100 шт.   0.67
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ONS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YJ	2 848	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	GALAXY ME
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	KLS
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SUNTAN
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	MIG	25 519	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	PANJIT
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	ЛЕНТА/КАТУШКА
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	WUXI XUYANG	5 091	1.93
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	SEMTECH	46 979	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4448		Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)	YANGJIE
		К73-17-630-2.2 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 2.2 мкФ 630 В			66.60
		К73-17-630-2.2 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 2.2 мкФ 630 В	SUNTAN
		К73-17-630-2.2 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 2.2 мкФ 630 В	КИТАЙ
		КД209Г				2 527	8.16
		КД209Г			СЗТП	40	15.30
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		985	16.45
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	880	40.34
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	88	260.10
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		1	324.00
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	120	184.00
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЬТАВ
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ФРЯЗИНО
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭПЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"