КД 206 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...			129.60
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	ВЛАДИКАВКАЗ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСК
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СИРИУС
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	RUS
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СЗТП
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	8	224.40
КР 1533 ИЕ7		RUS
КР 140 УД708	ОУ широкого применения с максимальной скоростью нарастания выходного напряжения ...	RUS
КС 515А	Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ...
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		227	28.00
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	35.70
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР