| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
LM1084IS-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
|
|
181.16
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1084IS-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
|
10 622
|
25.50
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НЗПП
|
112
|
40.34
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
НЭВЗ
|
80
|
47.23
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
СЗТП
|
48
|
96.90
|
|
|
|
|
Д816А |
|
металл
|
7200
|
|
|
|
 |
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
78
|
148.75
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
24
|
157.44
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
8
|
224.40
|
|
|
|
|
КР 525 ПС2А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
572
|
11.72
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
16.83
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
800
|
11.73
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.29
|
|
Версия для печати
