|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA564A |
|
|
MITSUBISHI
|
27
|
10.00
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
NEC
|
29
|
6.30
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
|
16
|
24.00
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
25
|
9.60
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
1
|
|
|
|
|
|
BC307C |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
800
|
8.67
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
|
10 490
|
1.42
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
6 387
|
14.09
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
46
|
2.33
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
HOTTECH
|
172
|
2.59
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
89
|
2.27
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
CHINA
|
18 400
|
1.46
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ZH
|
464
|
5.90
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SUNTAN
|
2 800
|
2.24
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
LGE
|
2 886
|
2.42
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
|
43 110
|
1.34
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SUNTAN
|
41 232
|
2.24
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
LGE
|
28 902
|
2.36
|
|
|
|
BC560B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
BC560B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
|
9.56
|
|
|
|
BC560B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
|
|
7.16
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
OTHER
|
1
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
ПЛАНЕТА
|
266
|
17.85
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
|
|
3.76
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
12.24
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
13 308
|
4.00
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
БРЯНСК
|
16
|
4.00
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
РИГА
|
2 935
|
4.00
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.24
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
|
1 212
|
14.40
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
БРЯНСК
|
2 829
|
8.00
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
МИНСК
|
1 364
|
8.00
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ6112Б |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ6112Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ6112В |
|
|
|
|
6.00
|
|
|
|
КТ6112В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
5 158
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
78 381
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
847
|
3.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
174 490
|
1.61
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
42 823
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
16 831
|
1.13
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
7 906
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
4 000
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
189 351
|
5.28
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
108 445
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
290 518
|
1.04
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
74 475
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
1 107
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
21 425
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
51 684
|
1.04
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
135 600
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 796
|
12.25
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 958
|
14.63
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
3 535
|
12.00
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 340
|
8.48
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
|
2 217
|
9.62
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.26
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 962
|
11.40
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
12 148
|
39.38
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
12 889
|
44.00
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 760
|
108.24
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2
|
35.20
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
8 072
|
34.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|