| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
|
|
|
|
|
|
|
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4511BE |
|
ИМС регистр хранения с дешифратором двоичного кода в 7-ми сегментный, КМОП
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 406
|
30.57
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
5 846
|
8.80
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
1 252
|
10.00
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
532
|
12.24
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
ММТ-4А-10 КОМ-20% |
|
|
|
14
|
26.40
|
|
|
|
|
ТПМ-2/0,5А |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
