КТ 502 Е

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TL072	Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ST MICROELECTRONICS
TL072	Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	UTC
TL072	Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...			30.00
К 561 ТМ2	2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	RUS
КТ 3102 БМ		RUS
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		572	11.72
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	800	16.83
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	800	11.73
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	4.29
КТ 503 Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS