КТ 503 Б

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC56-12GWA	Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент ...	KB
BC56-12GWA	Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент ...	KINGBRIGHT
BC56-12GWA	Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент ...			116.32
BC56-12GWA	Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент ...	KGB	1 216	383.47
BC56-12GWA	Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент ...	КИТАЙ
К155ТЛ1	Интегральная микросхема серии ТТЛ, два триггера Шмитта с логическим элементом на входе ...		18	24.64
К155ТЛ1	Интегральная микросхема серии ТТЛ, два триггера Шмитта с логическим элементом на входе ...	ПЛАНЕТА
К155ТЛ1	Интегральная микросхема серии ТТЛ, два триггера Шмитта с логическим элементом на входе ...	RUS
КД243Г			1 070	9.28
КД243Г		НПП ТЭЗ
КД243Г		СЗТП	840	20.40
КД243Г		ТОМИЛИНО
КД243Г		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД243Г		САРАНСК
КД243Г		RUS
КД243Г		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ 209Е
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 032	21.88
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	35.70
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 576	30.00
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК