КТ 645 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...		1	105.00
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	ВЛАДИКАВКАЗ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСК
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СИРИУС
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	RUS
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СЗТП
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	8	224.40
КПС 104 Е		RUS
КТ 808 А		RUS
КТ626А			1 160	25.50
КТ626А		КРЕМНИЙ
КТ626А		ТОМСК	40 051	4.00
КТ626А		БРЯНСК	1	6.00
КТ626А		ВОРОНЕЖ
КТ626А		RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	48.45
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		662	31.50
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР