| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 650
|
84.00
|
|
|
|
|
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
21
|
|
|
|
|
|
BTA24-600BW |
|
Симистор на 25 ампер 600 вольт, бесснабберный, изолированный корпус
|
|
1 639
|
53.41
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
2 200
|
51.00
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
776
|
118.08
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
|
204
|
167.28
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
МИКРО-М
|
294
|
56.00
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
ММ
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
СВЕТЛАНА
|
400
|
56.00
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР590КН3 |
|
(HI1-0509-5, MXD-409V)
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
|
1 252
|
20.40
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4 527
|
6.00
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
СЗТП
|
40
|
35.70
|
|
|
|
|
КС515Г1 |
|
пластмасса
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
123.20
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
3 568
|
34.00
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
200
|
216.48
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|
Версия для печати
