ТП112-14

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz			29.56
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR	9
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	STMicroelectronics
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	CDIL
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRO
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	HOTTECH	88	12.17
BD237	Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	JSCJ	2 280	9.14
TL081CP	1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS
TL081CP	1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS
TL081CP	1xOP JFET +-18V 13V/us
TL081CP	1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTR
TL081CP	1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMEN
TL081CP	1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS
КД226Г			437	16.45
КД226Г		НПП ТЭЗ
КД226Г		ТОМИЛИНО
КД226Г		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД226Г		RUS
КД226Г		СЗТП	80	25.50
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		653	16.45
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	608	40.34
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
С5-35В 25 8.2 10%		ЭЛЕКОМ
С5-35В 25 8.2 10%