IRF7807D2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7807D2		154.40

Версия для печати

Технические характеристики IRF7807D2

Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
FET Feature	Diode (Isolated)
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	FETKY™
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 5V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.