| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
426
|
122.36
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
1 003
|
119.32
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 324
|
86.84
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 440
|
131.05
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
|
|
55.96
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ14 |
|
Транзистор полевой N-канальный 60В, 10А
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 564
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
62
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FUXIN
|
11 772
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
|
|
52.60
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
568
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А
|
|
|
|
|
Версия для печати
