Версия для печати
Технические характеристики MF-RX110/72-0

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MF-RX/72
Voltage - Max	72V
Current - Max	40A
Current - Hold (Ih) (Max)	1.1A
Current - Trip (It)	2.2A
R Min/Max	0.150 ~ 0.250 Ohm
Time to Trip	8.2s
Корпус (размер)	Radial

MF-RX110/72-0 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

Самовосстанавливающиеся предохранители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		100МКФ 100 (13Х21,АКС.)105°C
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIR
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	ЦВТР
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	PHILIPS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	VISHAY
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	БРЕСТ
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIRCHILD
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	GALAXY
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	FAIRCHILD
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	КИТАЙ
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA		26 505	1.44
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	KINGTRONICS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	SEMTECH	12 616	1.05
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	GALAXY ME
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	PANJIT	2 676	1.71
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	DC COMPONENTS	5 344	2.32
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	HOTTECH	15 237	1.82
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	KLS
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	1
		BZX55C4V7		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA	SUNTAN	4 861	1.54
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS	6 003	51.91
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W		55	218.30
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	STMicroelectronics
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ТАИЛАНД
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST1
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRO
		STP4NK60ZFP		N-MOS 600V, 4A, 25W	STMICROELECTR
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		606	29.44
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 424	34.12
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 014	37.80
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	20	38.40
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМН
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		272	49.14
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	932	24.57
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	6 080	33.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"