|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805 X7R 100NF |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
0805 X7R 100NF |
|
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
17
|
1 859.76
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 817
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
1 644
|
354.14
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
|
13 620
|
8.33
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
304
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INFINEON
|
98 905
|
10.96
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TRR
|
1
|
6.20
|
|
|
|
LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C
|
ONS
|
12 786
|
13 494.60
|
|
|
|
LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C
|
|
4 152
|
11.06
|
|
|
|
LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MC74HC164ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC74HC164ADR2G |
|
|
|
|
66.96
|
|
|
|
MC74HC164ADR2G |
|
|
ONS
|
495
|
23.09
|
|
|
|
MC74HC164ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|