STGD18N40LZT4

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STGD18N40LZT4		364.80

IGBT 400V 25A DPAK

Версия для печати

Технические характеристики STGD18N40LZT4

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	420V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 4.5V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max)	25A
Power - Max	125W
Тип входа	Logic
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STGD18N40LZT4 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007 (1A 1000V)
LM9070M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM9070M		NSC
LM9070M				131.00
LM9070M		ФИНЛЯНДИЯ
TA7291P	VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A	TOSHIBA
TA7291P	VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A			112.60
TA7291P	VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A	TOS
TA7291P	VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A	ЯПОНИЯ
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	408	472.32
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс		1	302.40
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М				36.08
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М		ГЕРМАНИЯ