IRF150


Транзистор N-MOS 100В 30 TO3

Купить IRF150 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF150
Версия для печати

Технические характеристики IRF150

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C75A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 140A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5730pF @ 25V
Power - Max200W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 (Straight Leads)
КорпусTO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход