B019
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B021 | GAINTA | 276 | 4 244.32 | |||||
| B021 |
|
|
||||||
| HYR-0105B-1 (GB-105B-1) (BNC-7001B-1) (BNC-C62P) | NEW CENTRESS |
|
|
|||||
 |
IRF250 |
|
Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF250 |
|
Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 |
|
2 520.00 | |||
|
|
IRF250 |
|
Транзистор N-MOS 200В 30A TO3 | INFINEON |
|
|
||
 |
|
OP262GS |
|
Analog Devices Inc |
|
|
||
|
|
|
OP262GS |
|
ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
|
OP262GS |
|
ANALOG DEVICES |
|
|
 | Р В Р’В Р РЋРЎв„ў42300 10-0-10Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў точность 1,5; 2,5; 80С…80С…50 1360.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | NE556N РЎРѕРТвЂВержРСвЂВС‚ внутрРцРТвЂВРІР° тайРСВВера, аналогРСвЂВчные NE555, РѕР±СЉРµРТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚Вненные вобщеРѠРєРѕСЂРїСѓСЃРµ. Р  В РЎвЂєР РЋР С“новные характерРСвЂВСЃС‚РСвЂВРєРСвЂВНапряженРСвЂВР В Р’Вµ Р С—Р СвЂВтанРСвЂВР РЋР РЏ   &... 48.45 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | FQD1N80 800v n-channel mosfet РљСѓРїРСвЂВть |
