FDG332PZ


-20v p-channel powertrench mosfet

Купить FDG332PZ ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDG332PZ
Версия для печати

Технические характеристики FDG332PZ

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs95 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds560pF @ 10V
Power - Max480mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG332PZ (MOSFET)

-20V P-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDG332PZ datasheet
453.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход