FDG6317NZ
Dual 20v n-channel powertrench mosfet
Технические характеристики FDG6317NZ
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PowerTrench® |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 700mA, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 700mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 66.5pF @ 10V |
Power - Max | 300mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Корпус | SC-70-6 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru