КТ 3102 ЕМ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF520	Транзистор полевой N-канальный 100V, 10A, 70W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF520	Транзистор полевой N-канальный 100V, 10A, 70W	VISHAY
IRF520	Транзистор полевой N-канальный 100V, 10A, 70W			61.92
IRF520	Транзистор полевой N-канальный 100V, 10A, 70W	Vishay/Siliconix
IRF520	Транзистор полевой N-канальный 100V, 10A, 70W	STMicroelectronics
IRF520	Транзистор полевой N-канальный 100V, 10A, 70W	КИТАЙ
LM386M	Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM386M	Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом	UTC
LM386M	Аудиоусилитель 0,73Вт, 15В, 8Ом			28.40
КР 1533 ТМ2	Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		692	19.25
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ	1 600	24.00
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN		1 037	56.10
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	МИНСК
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ПЛАНЕТА	128	157.44
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ВОРОНЕЖ
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	RUS