КТ 817 А

Транзистор PNP

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275Обратный ток коллектора <=100 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор PNP

КТ 817 А datasheet
225,4kB
3стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007		DC COMPONENTS	124 163	2.07
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		PANJIT
1N4007		FSC
1N4007		MCC
1N4007		DIC
1N4007		FAIR
1N4007		PHILIPS
1N4007		MIC	357 335	1.40
1N4007		DIOTEC	74 182	3.32
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		LD
1N4007		JGD
1N4007		MING SHUN
1N4007		MS
1N4007		QUAN-HONG
1N4007		XR
1N4007		GALAXY
1N4007		COMPACT TECHNOLOGY
1N4007		DC COMPONENTS
1N4007		FAIRCHILD	288
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR	1
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		MASTER INSTRUMENT CORPORATION
1N4007		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		PANJIT	307 692
1N4007		PHILIPS
1N4007		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N4007		YANGJIE SEMICONDUCT
1N4007		Fairchild Semiconductor
1N4007		SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N4007		MICROSEMI CORP
1N4007		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4007		GD
1N4007		JC
1N4007		KINGTRONICS
1N4007		YJ	102 166	1.40
1N4007		DIODES INC.
1N4007		MIG
1N4007		MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
1N4007		MOTOROLA
1N4007		YJ ELE-NIC CORP
1N4007		RECTIFIER
1N4007		EXTRA COM-NTS
1N4007		GALAXY ELECTRICAL
1N4007		GEMBIRD
1N4007		ТОМИЛИНО
1N4007		EXTRA
1N4007		КИТАЙ	800	6.12
1N4007		DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4007		MD
1N4007			1 807	3.52
1N4007		ONS-FAIR
1N4007		ONS
1N4007		ELZET
1N4007		GALAXY ME
1N4007		LGE	118	2.00
1N4007		HOTTECH	92 191	1.36
1N4007		KLS	11 200	2.95
1N4007		YS
1N4007		YANGJIE	127 200	1.76
1N4007		YANGJIE (YJ)
1N4007		MC
1N4007		FAIRCHILD
1N4007		WUXI XUYANG
1N4007		KUU	2	1.24 >100 шт. 0.62
1N4007		CHINA	15 317	1.02
1N4007		SUNRISETRON
1N4007		UNKNOWN
1N4007		BILIN
1N4007		KEHE
1N4007		1
1N4007		BL
1N4007		SUNTAN	84 744	2.33
1N4007		TWGMC	41 465	1.12 >100 шт. 0.56
1N4007		CTK
1N4007		JUXING	125	2.73
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST MICROELECTRONICS
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT		2	936.00
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	STMicroelectronics
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	МАРОККО
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST1
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST MICROELECTRO
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	1
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 198	26.40
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	35.70
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 749	28.00
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ 817 Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ 817 В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS